반도체 전공정 집적도 상승 주요 변화: 보완 투자 요구량 지속 증가 전망

미세화(DRAM/비메모리) 또는 적층 단수가 증가(3D NAND)할수록 공정 Step 수가 증가한다. 동일 캐파당 필요한 장비/소재/부품 숫자가 증가한다. 이에 최첨단 공정이 적용되면 캐파 감소를 보완하기 위한 투자가 필요하다. DRAM의 Capacitor 또는 3D NAND의 적층 단수 등 구조물의 종횡비(A/R, Aspect Ratio)는 커질 수 밖에 없다. 종횡비가 커질수록 미세한 증착이 요구된다. 절연막 두께를 1나노 이하 수준으로 얇게 만들어야 하는데, 이를 위해서 ALD 방식의 증착이 필요하다.

 

공정 미세화에 따른 관련 공정 별 영향 요약

 

공정 Step 수가 증가하면, Particle을 제거하는 세정 공정 Step 수도 동반 증가한다. 식각과 마찬가지로 세정에도 습식(화학 용액 사용)보다 건식(플라즈마 등) 방식이 확대되고 있다. 구조물의 종횡비가 높아질수록 화학 용액이 깊은 곳까지 닿기 어려워져, 건식 세정이 유리하기 때문이다.